3个原子厚度芯片原型诞生，二硫化钼将重新推动摩尔定律

二硫化钼，这个超薄金属、硫化物，拥有令人惊叹的电子特性，或将成为石墨烯有力的挑战者。

在摩尔定律在使用硅遇到无法逾越的障碍时，科学家们希望能通过二维材料，如石墨烯或二硫化钼等来帮助摩尔定律继续快速发展。现在，科学家们利用二硫化钼制作的原型处理器消耗大约60毫瓦，包含115个晶体管。它的设计者希望还能集成更多。维也纳大学（VUT）的研究人员开发的3个原子厚度的芯片，可能是第一个二维材料的实例。

以前，由二维材料制造的芯片，上面集成的晶体管数量保持在个位数，而VUT大学的Thomas Müller¬和他的同事创造性的达到了115个晶体管。他们将其成果发布在了4月11日《自然》杂志上。

该微型芯片可以执行用户定义的、存储在外部存储器中程序，执行逻辑操作，并将数据传送给外设。虽然这个原型运行在single-bit的数据，但研究人员说他们的设计很容易用于multibit数据。

他们还指出他们的发明是兼容现有的半导体制造工艺。该芯片由二硫化钼的薄膜制成，类似于一层钼原子夹在两层硫原子之间。这个薄膜只有0.6纳米厚。相比之下，硅芯片层的厚度约100纳米。

那么，二硫化钼的摩尔定律是什么呢?

VUT的原型产品最小尺寸是2微米。然而，Müller说：“做到200纳米或100纳米晶体管的管道长度应该是相当简单的。”

他补充说，随着这些电路中电触点的质量改善，最终应该能做出1纳米的二维晶体管。Müller说：“这个数字用硅是没法实现，硅的极限应该是5纳米。”

用二硫化钼制造更复杂的微型芯片，其主要障碍是制造。目前，Müller团队的全功能芯片的良率只有百分之几。（2017年6月26日星期三转载自http://www.sohu.com/a/146168183_760454）